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參數(shù)資料
型號: IRFR5505GTRPBF
廠商: International Rectifier
文件頁數(shù): 6/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
產(chǎn)品目錄繪圖: IR Hexfet DPak
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 18A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 110 毫歐 @ 9.6A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 650pF @ 25V
功率 - 最大: 57W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D-Pak
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1520 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: IRFR5505GTRPBFDKR
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