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參數資料
型號: IRFR9024NPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175ヘ , ID = -11A )
中文描述: HEXFET功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d - 55V的,的RDS(on)\u003d 0.175ヘ,身份證\u003d - 11A條)
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代理商: IRFR9024NPBF
www.irf.com
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相關PDF資料
PDF描述
IRFU9024NPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175ヘ , ID = -11A )
IRFR9110PBF HEXFET Power MOSFET
IRFu9110PBF HEXFET Power MOSFET
IRFR9110 3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(3.1A, 100V, 1.200 Ω, P溝道功率MOS場效應管)
IRFU9110 3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(3.1A, 100V, 1.200 Ω, P溝道功率MOS場效應管)
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFR9024NPBFEL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRFR9024NTR 功能描述:MOSFET MOSFET, P-CHANNEL, -55V, 11A, 175 mOhm, 12.7 nC Qg, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9024NTRL 功能描述:MOSFET P-CH 55V 11A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFR9024NTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V 11A 175mOhm 12.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9024NTRPBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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