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參數資料
型號: IRFR9024PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(on) = 0.28ヘ , ID = -8.8A )
中文描述: HEXFET功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d - 60V的,的RDS(on)\u003d 0.28ヘ,身份證\u003d - 8.8A)
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代理商: IRFR9024PBF
www.irf.com
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IRFR9024PbF
IRFU9024PbF
相關PDF資料
PDF描述
IRFU9024PBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(on) = 0.28ヘ , ID = -8.8A )
IRFR9024 Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A)
IRFU9024 Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A)
IRFR9120NPBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 2280; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 73; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 100; Temp.: AUTO
IRFU9120NPBF 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFR9024TR 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9024TRL 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9024TRLPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9024TRPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9024TRR 功能描述:MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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