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參數資料
| 型號： | IRFR9121 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 80V的五（巴西）直| 6A條（丁）|至252 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 522K |
| 代理商： | IRFR9121 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR9211 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252AA |
| IRFR9222 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-252AA |
| IRFU9121 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251 |
| IRFU9211 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-251AA |
| IRFU9212 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-251AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFR9210 | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR9210N | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFR9210P748I的PDF資料 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述: |
| IRFR9210PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR9210TF | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:IRFR9210TF |
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