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參數資料
| 型號： | IRFR9212-T1 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 1.6 A, 200 V, 4.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | IRFR9212-T1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR9310 | 1.8 A, 400 V, 7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| IRFR9310TRL | 1.8 A, 400 V, 7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| IRFY320 | 3.3 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB |
| IRGKIN100M12 | 175 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| IRGRDN600K06 | 680 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFR9214 | 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR9214PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR9214TR | 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR9214TRL | 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR9214TRLPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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