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參數資料
| 型號： | IRFRC20 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 600V電壓的Rds（on）\u003d 4.4ohm，身份證\u003d 2.0安培） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 169K |
| 代理商： | IRFRC20 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFUC20 | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A) |
| IRFRU024N | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A) |
| IRFR024N | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A) |
| IRFU024N | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A) |
| IRFRU1205 | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFRC20PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFRC20TR | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFRC20TRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFRC20TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFRC20TRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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