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參數資料
| 型號： | IRFS151 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 27.7A I(D) | SOT-186VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 27.7AI（四）|的SOT - 186VAR |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 151K |
| 代理商： | IRFS151 |
Parameter
Max.
11
7.0
44
170
1.3
± 30
6.9
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
9/13/99
PD- 93797
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
l
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l
Uninterruptable Power Supply
l
High speed power switching
Benefits
l
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
l
Effective Coss Specified ( See AN 1001)
Applications
V
DSS
500V
Rds(on) max
0.52
I
D
11A
Applicable Off Line SMPS Topologies:
l
Two Transistor Forward
l
Half & Full Bridge
l
Power Factor Correction Boost
IRFS11N50A
www.irf.com
1
Notes
through
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Absolute Maximum Ratings
D Pak
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS1Z3 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 750MA I(D) | TO-243AA |
| IRFS240 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 12.5A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS240A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-247VAR |
| IRFS241 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 12.5A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS244 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 10.2A I(D) | TO-247VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFS17N20D | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFS17N20DHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IRFS17N20DPBF | 功能描述:MOSFET 200V SINGLE N-CH 170mOhms 33nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS17N20DTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFS17N20DTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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