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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFS1Z0 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 820MA I(D) | TO-243AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 820MA（丁）|對(duì)243AA |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | IRFS1Z0 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU9221 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-251AA |
| IRFR111 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-252 |
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| IRFR13N20DTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-252AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFS1Z3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 750MA I(D) | TO-243AA |
| IRFS23N15D | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFS23N15DHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IRFS23N15DPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 150V, RDS(ON) 0.09Ohm, ID 23A, D2Pak, PD 136W, VGS +/-30V, -55 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 23A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 150V, 23A, D2-PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D |
| IRFS23N15DTRLP | 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 23A 90mOhm 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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