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參數資料
| 型號： | IRFS340 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.9A I(D) | SOT-186VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五（巴西）直| 6.9AI（四）|的SOT - 186VAR |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | IRFS340 |
Parameter
Max.
30
21
120
3.1
200
1.3
± 30
2.1
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw
10 lbfin (1.1Nm)
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
www.irf.com
1
1/3/2000
IRFB30N20D
IRFS30N20D
IRFL30N20D
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
R
DS(on)
max
0.082
l
High frequency DC-DC converters
Benefits
l
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
l
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
V
DSS
200V
I
D
30A
Typical SMPS Topologies
l
Telecom 48V Input Forward Converters
Absolute Maximum Ratings
PD- 93832
Notes
through
are on page 11
D
2
Pak
IRFS30N20D
TO-220AB
IRFB30N20D
TO-262
IRFL30N20D
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS341 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 6.9A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS350 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS351 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFB30N20D | 200V,30A SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(200V,30A開關電源 MOSFET用于高頻DC-DC變換器) |
| IRFL30N20D | 200V,30A SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(200V,30A開關電源 MOSFET用于高頻DC-DC變換器) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFS340A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power Mosfet |
| IRFS340B | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS341 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 6.9A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS350 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS3507 | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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