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參數資料
| 型號： | IRFS341 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 6.9A I(D) | SOT-186VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 350V五（巴西）直| 6.9AI（四）|的SOT - 186VAR |
| 文件頁數： | 8/11頁 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | IRFS341 |
IRFB/IRFS/IRFL30N20D
8
www.irf.com
LEA D A SSIGN MEN TS
1 - GATE
2 - D RA IN
3 - S OU RC E
4 - D RA IN
- B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
3X
0.55 (.022)
0.46 (.018)
2.92 (.115)
2.64 (.104)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
4.06 (.160)
3.55 (.140)
1.15 (.045)
MIN
6.47 (.255)
6.10 (.240)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
- A -
10.54 (.415)
10.29 (.405)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
15.24 (.600)
14.84 (.584)
14.09 (.555)
13.47 (.530)
3X
1.40 (.055)
1.15 (.045)
2.54 (.100)
2X
0.36 (.014) M B A M
4
1 2 3
N OTE S:
1 D IME NS IONING & TOLE R ANC IN G P ER ANS I Y14.5M, 1982. 3 O UTLINE C ON FOR MS TO JED EC OU TLIN E TO-220A B.
2 C ON TR OLLIN G D IME NS ION : INC H 4 H EATS IN K & LEA D ME ASUR E MENTS D O NOT IN CLU DE BU R RS .
TO-220AB Part Marking Information
TO-220AB Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
EXAMPLE : THIS IS AN IRF1010
W ITH ASSEMBLY
LOT CODE 9B1M
ASSEMBLY
LOT CODE
DATE CODE
(YYW W )
YY = YEAR
W W = W EEK
9246
IRF1010
9B 1M
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS350 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS351 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFB30N20D | 200V,30A SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(200V,30A開關電源 MOSFET用于高頻DC-DC變換器) |
| IRFL30N20D | 200V,30A SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(200V,30A開關電源 MOSFET用于高頻DC-DC變換器) |
| IRFS30N20D | 200V,30A SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(200V,30A開關電源 MOSFET用于高頻DC-DC變換器) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFS350 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS3507 | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFS3507PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 97A;D2Pak;PD 190W;VGS +/-20V 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 75V 97A 3PIN D2PAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 75V D2-PAK |
| IRFS3507TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFS350A | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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