欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號: IRFS441
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | SOT-186VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 450V五(巴西)直| 5.5AI(四)|的SOT - 186VAR
文件頁數(shù): 4/11頁
文件大小: 232K
代理商: IRFS441
IRFB/IRFS/IRFSL41N15D
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
°
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
20
40
60
80
100
120
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
25A
V
= 30V
DS
V
= 75V
DS
V
= 120V
DS
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS450A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-247VAR
IRFS451 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 9A I(D) | SOT-186VAR
IRFS460 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12.4A I(D) | TO-247VAR
IRFS520 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-186
IRFS521 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-186
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFS4410 功能描述:MOSFET N-CH 100V 96A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFS4410PBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS4410TRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRFS4410TRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS4410ZPBF 功能描述:MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 83nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 兴隆县| 南雄市| 高阳县| 寿宁县| 咸宁市| 千阳县| 靖西县| 拉萨市| 罗甸县| 河曲县| 哈密市| 双牌县| 涞源县| 沾化县| 惠安县| 外汇| 石阡县| 繁昌县| 二连浩特市| 安乡县| 仙桃市| 确山县| 通州市| 汤原县| 平遥县| 泸州市| 吉木萨尔县| 鄱阳县| 南和县| 堆龙德庆县| 巫山县| 金川县| 清水河县| 武穴市| 东莞市| 江源县| 丹江口市| 华容县| 沈阳市| 清水县| 贡嘎县|