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參數資料
| 型號： | IRFS451 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 9A I(D) | SOT-186VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 450V五（巴西）直| 9A條（丁）|的SOT - 186VAR |
| 文件頁數： | 7/11頁 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | IRFS451 |
IRFB/IRFS/IRFSL41N15D
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFET
Power MOSFETs
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS460 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12.4A I(D) | TO-247VAR |
| IRFS520 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-186 |
| IRFS521 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-186 |
| IRFS531 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 9.7A I(D) | SOT-186 |
| IRFS541 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 17A I(D) | SOT-186 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFS4510PBF | 功能描述:MOSFET 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS4510TRLPBF | 功能描述:MOSFET 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS460 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12.4A I(D) | TO-247VAR |
| IRFS4610 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFS4610PBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 90nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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