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參數資料
| 型號： | IRFS634 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 250V五（巴西）直| 5.5AI（四）|對220VAR |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | IRFS634 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS635 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-220VAR |
| IRFS640A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.8A I(D) | TO-220AB |
| IRFS641 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 9.8A I(D) | SOT-186 |
| IRFS644 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8.5A I(D) | TO-220VAR |
| IRFS644A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 7.9A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFS634A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSEFT |
| IRFS634B | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS634B_FP001 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS634BT | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel |
| IRFS634BT_FP001 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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