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參數資料
| 型號： | IRFSL11N50 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | IRFSL11N50 |
IRFSL11N50A
HEXFET
Power MOSFET
Third Generation HEXFET
Power MOSFETs from International Rectifier
provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized
device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
S
D
G
Parameter
Max.
11
7.8
44
190
1.3
± 30
390
11
19
4.1
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
0.75
40
Units
°C
R
θ
JC
R
θ
JA
www.irf.com
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
Thermal Resistance
V
DSS
= 500V
R
DS(on)
= 0.55
I
D
= 11A
l
Dynamic dv/dt Rating
l
Repetitive Avalanche Rated
l
Fast Switching
l
Ease of Paraleling
l
Simple Drive Requirements
Description
2/7/2000
1
PD- 91847B
TO-262
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFSL11N50A | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應管) |
| IRFSZ14A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
| IRFSZ20 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 13A I(D) | SOT-186 |
| IRFSZ24 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 13A I(D) | SOT-186 |
| IRFSZ30 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 20A I(D) | SOT-186 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFSL11N50A | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFSL11N50APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFSL17N20D | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFSL17N20DPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFSL23N15D | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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