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參數資料
| 型號： | IRFSL11N50A |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應管) |
| 中文描述： | N溝道HEXFET功率MOSFET的（不適用溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應管） |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 111K |
| 代理商： | IRFSL11N50A |
IRFSL11N50A
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFET
Power MOSFETs
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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