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參數資料
| 型號： | IRFSL52N15D |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 150伏時，RDS（on）的最大值\u003d 0.032ohm，身份證\u003d 50A條） |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | IRFSL52N15D |
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www.irf.com
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IRFB52N15D
IRFS52N15D
IRFSL52N15D
HEXFET
Power MOSFET
SMPS MOSFET
V
DSS
150V
R
DS(on)
max
0.032
I
D
60A
PD - 94357
D
2
Pak
IRFS52N15D
TO-220AB
IRFB52N15D
TO-262
IRFSL52N15D
Parameter
Max.
60
43
240
3.8
320
2.1
± 30
5.5
Units
I
D
@ T
C
= 25
°
C
I
D
@ T
C
= 100
°
C
I
DM
P
D
@T
A
= 25
°
C
P
D
@T
C
= 25
°
C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw 10 lbf
in (1.1N
m)
A
W
W/
°
C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°
C
Absolute Maximum Ratings
High frequency DC-DC converters
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
0.47
–––
62
40
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient
°
C/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFB52N15 | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) |
| IRFS52N15D | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) |
| IRFB52N15D | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) |
| IRFU014 | Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A) |
| IRFR014 | Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFSL52N15DPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFSL5615PBF | 功能描述:MOSFET Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFSL5620PBF | 功能描述:MOSFET Audio MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFSL59N10D | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 59A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFSL59N10DPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 100V, 59A, TO-262, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D |
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