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參數資料
| 型號： | IRFU12N25DPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(on)max = 0.26ヘ , ID = 14A ) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 250V時，RDS（on）的最大值\u003d 0.26ヘ，身份證\u003d 14A條） |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 235K |
| 代理商： | IRFU12N25DPBF |
www.irf.com
1
12/2/04
IRFR12N25DPbF
IRFU12N25DPbF
HEXFET Power MOSFET
SMPS MOSFET
V
DSS
250V
R
DS(on)
max
0.26
I
D
14A
Parameter
Max.
14
9.7
56
144
0.96
± 30
9.3
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
Notes
through are on page 10
D-Pak
IRFR12N25D
I-Pak
IRFU12N25D
High frequency DC-DC converters
Lead-Free
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.04
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
PD - 95353A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU210PBF | HEXFET POWER MOSFET |
| IRFU220NPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU220PBF | HEXFEP Power MOSFET |
| IRFU2405 | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=56A) |
| IRFR2405 | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=56A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFU130 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
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| IRFU13N15DPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 150V 14A I-PAK |
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