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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFU24N15D |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的開(kāi)關(guān)電源 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 113K |
| 代理商： | IRFU24N15D |
www.irf.com
1
03/14/02
IRFR24N15D
IRFU24N15D
HEXFET
Power MOSFET
SMPS MOSFET
V
DSS
150V
R
DS(on)
max
95m
I
D
24A
Parameter
Max.
24
17
96
140
0.92
± 30
4.9
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25
°
C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/
°
C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°
C
Absolute Maximum Ratings
Notes
through are on page 10
D-Pak
IRFR24N15D
I-Pak
IRFU24N15D
PD - 94392
High frequency DC-DC converters
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.1
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°
C/W
Thermal Resistance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR24N15D | SMPS MOSFET |
| IRFU320 | 3.1A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| IRFR320 | 0.4A, 400V, 3.607 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(15A, 50V, 0.150 Ω,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| IRFU320 | Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=3.1A) |
| IRFU3410 | Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFU24N15DPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 150V 24A I-PAK |
| IRFU2605 | 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=19A) |
| IRFU2607Z | 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRFU2607ZPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 45A 22mOhm 34nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU2905Z | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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