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參數(shù)資料
型號(hào): IRFU320A
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-251AA
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五(巴西)直| 3.1AI(四)|對(duì)251AA
文件頁(yè)數(shù): 5/7頁(yè)
文件大小: 117K
代理商: IRFU320A
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
IRFR320, IRFU320 Rev. B
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
N
1.25
1.05
0.95
0.85
0.75
-40
0
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
120
1.15
80
I
D
= 250
μ
A
160
B
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
750
600
450
300
150
01
2
5
10
2
5
10
2
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
5
4
3
2
1
00
1
2
3
4
5
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0.3
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
0.6
0.9
1.2
100
10
1
0.1
I
S
,
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
1.5
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
GS
= 0V
0
4
8
12
16
20
I
D
= 3.1A
Q
G(TOT)
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
,
20
16
12
8
4
0
V
DS
= 200V
V
DS
= 80V
V
DS
= 320V
IRFR320, IRFU320
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU322 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-251AA
IRFR421 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-252AA
IRFR422 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-252AA
IRFU421 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-251AA
IRFU422 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-251AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFU321 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFU322 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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