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參數(shù)資料
| 型號： | IRFU322 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-251AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五（巴西）直| 2.6AI（四）|對251AA |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | IRFU322 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
IRFR320, IRFU320 Rev. B
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
N
1.25
1.05
0.95
0.85
0.75
-40
0
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
120
1.15
80
I
D
= 250
μ
A
160
B
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
750
600
450
300
150
01
2
5
10
2
5
10
2
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
5
4
3
2
1
00
1
2
3
4
5
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0.3
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
0.6
0.9
1.2
100
10
1
0.1
I
S
,
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
1.5
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
GS
= 0V
0
4
8
12
16
20
I
D
= 3.1A
Q
G(TOT)
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
,
20
16
12
8
4
0
V
DS
= 200V
V
DS
= 80V
V
DS
= 320V
IRFR320, IRFU320
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR421 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-252AA |
| IRFR422 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-252AA |
| IRFU421 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-251AA |
| IRFU422 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-251AA |
| IRFU430A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-251AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFU325 | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRFU330 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3303 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFU3303PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 29nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU3303PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes |
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