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參數資料
型號: IRFU3411
英文描述: 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package
中文描述: 100V的單N溝道HEXFET功率MOSFET的一個的I - Pak封裝
文件頁數: 2/6頁
文件大小: 280K
代理商: IRFU3411
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PDF描述
IRFU3709 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 90A I(D) | TO-251AA
IRFR3209A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-252AA
IRFR320A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-252AA
IRFR322 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-252AA
IRFR3303TR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-252AA
相關代理商/技術參數
參數描述
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IRFU3412 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET
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IRFU3418 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFU3418PBF 功能描述:MOSFET N-CH 80V 70A I-PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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