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參數(shù)資料
型號(hào): IRFU3704
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.5mohm, Id=75A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 20V的,的Rds(on)最大值\u003d 9.5mohm,身份證\u003d 75A條)
文件頁(yè)數(shù): 1/9頁(yè)
文件大小: 115K
代理商: IRFU3704
www.irf.com
1
8/22/00
IRFR3704
IRFU3704
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
R
DS(on)
max
9.5m
Benefits
V
DSS
20V
I
D
75A
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
C
= 25
°
C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 70
°
C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
C
= 25
°
C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
C
= 70
°
C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.58 mW/
°
C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
20
Units
V
Drain-Source Voltage
± 20 V
75
63
300
90
62
A
W
W
-55 to + 175
°
C
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.7
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°
C/W
Thermal Resistance
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
D-Pak I-Pak
IRFR3704 IRFU3704
Ultra-Low R
DS(on)
Very Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Notes
through are on page 9
High Frequency DC-DC Isolated
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial use
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Applications
PD - 93887B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR3706CPBF SMPS MOSFET
IRFU3706CPbF SMPS MOSFET
IRFR3707ZCPBF HEXFET Power MOSFET
IRFU3707ZCPBF HEXFET Power MOSFET
IRFR3707ZPBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU3704PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 6.4nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU3704Z 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFU3704ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 60A 8.4mOhm 9.3nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU3704ZPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRFU3706 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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