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參數(shù)資料
| 型號： | IRFU3910PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 400K |
| 代理商： | IRFU3910PBF |
www.irf.com
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR4104 | Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A) |
| IRFU4104 | Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A) |
| IRFR4105Z | Power MOSFET(Vds=55V, Rds(on)=24.5mohm, Id=30A) |
| IRFU4105Z | Power MOSFET(Vds=55V, Rds(on)=24.5mohm, Id=30A) |
| IRFR420APBF | HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) max = 3.0ヘ , ID = 3.3A ) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFU3911 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET |
| IRFU3911PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14A I-PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFU410 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| IRFU4104 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A) |
| IRFU4104-701PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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