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參數資料
| 型號： | IRFU430APBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 309K |
| 代理商： | IRFU430APBF |
www.irf.com
1
MOSFET
HEXFET Power MOSFET
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptible Power Supply
High speed power switching
Lead-Free
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
Effective C
OSS
specified (See AN 1001)
V
DSS
500V
R
DS
(on) max
1.7
I
D
5.0A
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
130
5.0
11
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
1.1
–––
62
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
D-Pak
IRFR430A
I-Pak
IRFU430A
Parameter
Max.
5.0
3.2
20
110
0.91
± 30
3.0
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR6215PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRFU6215PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRFR9310PBF | HEXFET POWER MOSFET |
| IRFU9310PBF | HEXFET POWER MOSFET |
| IRFR9N20DPBF | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFU430B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| IRFU430BTU | 功能描述:MOSFET 500V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU4510PBF | 功能描述:MOSFET 100V 64A 14.5mOhm HEXFET 140W 50nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU4615PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU4620PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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