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參數資料
| 型號： | IRFU9220PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 1090K |
| 代理商： | IRFU9220PBF |
www.irf.com
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR9220 | 3.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
| IRFU9220 | 3.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
| IRFR9220 | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.6A) |
| IRFU9220 | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.6A) |
| IRFRU3910 | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds=0.115ohm, Id=16A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFU9221 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-251AA |
| IRFU9222 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-251AA |
| IRFU9310 | 功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU9310PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU9N20D | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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