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參數資料
| 型號： | IRFW730A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五（巴西）直| 5.5AI（四）|對263AB |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 149K |
| 代理商： | IRFW730A |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFW730S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-263AB |
| IRFW740S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
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| IRFW830A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-263AB |
| IRFI820A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-262AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFW730ATM | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| IRFW730B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET |
| IRFW730BTM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFW730BTMNL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFW730S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-263AB |
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