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參數資料
| 型號： | IRFZ24NL |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.07ohm，身份證\u003d 17A條） |
| 文件頁數： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 159K |
| 代理商： | IRFZ24NL |
IRFZ24NS/L
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
100
200
300
400
500
600
700
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
o ss
C
rss
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
T = 25°C
V = 0V
GS
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
0
4
8
12
16
20
0
4
Q , Total Gate Charge (nC)
8
12
16
20
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V = 44V
V = 28V
I = 10A
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PDF描述 |
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