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參數(shù)資料
型號: IRFZ24VS
英文描述: 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
中文描述: 單60V的N溝道HEXFET功率MOSFET的一項D2 - PAK封裝
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大小: 331K
代理商: IRFZ24VS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ25 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB
IRFZ24N N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor(N溝道增強型 TrenchMOS 晶體管)
IRFZ44N N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
IRFZ44NS N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
IRFZ44 N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ24VSPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 60V 17A D2-PAK
IRFZ25 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB
IRFZ30 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ30PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ32 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220AB
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