- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360951 > IRFZ44A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-220AB PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRFZ44A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 50A條（丁）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 8/10頁 |
| 文件大小： | 358K |
| 代理商： | IRFZ44A |
IRFZ46S/L
D
2
Pak Package Outline
D
2
Pak
Part Marking Information
10.16 (.400)
REF.
6.47 (.255)
6.18 (.243)
2.61 (.103)
2.32 (.091)
8.89 (.350)
REF.
- B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
1.39 (.055)
1.14 (.045)
5.28 (.208)
4.78 (.188)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
10.54 (.415)
10.29 (.405)
- A -
2
1 3
15.49 (.610)
14.73 (.580)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
5.08 (.200)
3X1.14 (.045)
1.78 (.070)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
MAX.
NOTES:
1 DIMENSIONS AFTER SOLDER DIP.
2 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
3 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
4 HEATSINK & LEAD DIMENSIONS DO NOT INCLUDE BURRS.
0.55 (.022)
0.46 (.018)
0.25 (.010) M B A M
MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT
11.43 (.450)
8.89 (.350)
17.78 (.700)
3.81 (.150)
2.08 (.082)
2X
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
2.54 (.100)
2X
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
DATE CODE
(YYWW )
YY = YEAR
WW = WEEK
ASSEMBLY
LOT CODE
F530S
9B 1M
9246
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ44ND | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | CHIP |
| IRFZ44NSTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ44NSTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ44STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ44STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFZ44CN | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc N-Channel MOSFET Transistor |
| IRFZ44E | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFZ44E-004HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube |
| IRFZ44EHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 48A 3PIN TO-220AB - Bulk |
| IRFZ44EL | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。