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參數資料
| 型號： | IRFZ44N |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 17.5mohm，身份證\u003d 49A條） |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | IRFZ44N |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ44N
Fig.17. Switching test circuit.
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
February 1999
6
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ44NL | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A) |
| IRFZ44VZS | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A) |
| IRFZ44NS | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A) |
| IRFZ44VL | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A) |
| IRFZ44VS | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFZ44N,127 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 49A SOT78 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFZ44N\45B | 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 55V 49A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFZ44N-009HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube |
| IRFZ44N-013HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube |
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