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參數資料
型號: IRFZ44ND
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | CHIP
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五(巴西)直| 49A條(丁)|芯片
文件頁數: 10/10頁
文件大小: 358K
代理商: IRFZ44ND
IRFZ46S/L
Tape & Reel Information
D
2
Pak
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice.
8/97
3
4
4
TRR
FE ED DIRECTION
1.85 (.073)
1.65 (.065)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
4.10 (.161)
3.90 (.153)
TRL
FEED DIRECTION
10.90 (.429)
10.70 (.421)
16.10 (.634)
15.90 (.626)
1.75 (.069)
1.25 (.049)
11.60 (.457)
11.40 (.449)
15.42 (.609)
15.22 (.601)
4.72 (.136)
4.52 (.178)
24.30 (.957)
23.90 (.941)
0.368 (.0145)
0.342 (.0135)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
13.50 (.532)
12.80 (.504)
330.00
(14.173)
M AX.
27.40 (1.079)
23.90 (.941)
60.00 (2.362)
MIN.
30.40 (1.197)
MAX.
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
NOT ES :
1. CO MFOR MS TO EIA-418.
2. CO NTRO LLIN G DIM EN SION : M ILLIM ETER .
3. DIM ENSIO N M EASURED @ HUB.
4. INC LU DES FLAN GE DISTORTION @ OUTER ED GE.
相關PDF資料
PDF描述
IRFZ44NSTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | TO-263AB
IRFZ44NSTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | TO-263AB
IRFZ44STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB
IRFZ44STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB
IRFZ44VSTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB
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參數描述
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IRFZ44NL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 49A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44NLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 49A 3PIN TO-262 - Bulk
IRFZ44NLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ44NLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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