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參數(shù)資料
| 型號： | IRFZ44NS |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.0175ohm，身份證\u003d 49A條） |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | IRFZ44NS |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ44N
Fig.17. Switching test circuit.
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
February 1999
6
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ44VL | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A) |
| IRFZ44VS | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A) |
| IRFZ44VZ | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A) |
| IRFZ44VZL | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A) |
| IRFZ44 | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFZ44NS\31B | 功能描述:MOSFET USE 781-SUB40N06-25L RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFZ44NSHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IRFZ44NSPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 17.5mOhms 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFZ44NSTRL | 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 55 V 3.8 W 63 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 |
| IRFZ44NSTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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