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參數資料
| 型號： | IRFZ44NSTRL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 49A條（丁）|對263AB |
| 文件頁數： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 358K |
| 代理商： | IRFZ44NSTRL |
IRFZ46S/L
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ44NSTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ44STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ44STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ44VSTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ44VSTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFZ44NSTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRFZ44NSTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFZ44NSTRLPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 3.8 W 63 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK |
| IRFZ44NSTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFZ44NSTRRPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 30nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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