- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360951 > IRFZ44NSTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | TO-263AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFZ44NSTRR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 49A條（丁）|對(duì)263AB |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/10頁(yè) |
| 文件大小： | 358K |
| 代理商： | IRFZ44NSTRR |
IRFZ46S/L
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ44STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ44STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ44VSTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ44VSTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ46L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-262AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFZ44NSTRRPBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 30nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFZ44PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFZ44R | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFZ44R_11 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFZ44RPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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