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參數資料
| 型號： | IRFZ44VL |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 60V的，的Rds（on）\u003d 16.5mohm，身份證\u003d 55A條） |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | IRFZ44VL |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ44N
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 10 V
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
ID/A
VDS/V
VGS/V =
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
16
10
9
8.5
0
20
40
60
80
100
0
5
10
15
20
25
30
gfs/S
ID/A
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10
15
20
25
30
35
40VGS/V =
6
6.5
7
8
9
10
ID/A
-100
-50
0
50
100
150
200
0.5
1
1.5
2
2.5
BUK959-60
Tmb / degC
Rds(on) normlised to 25degC
a
0
2
4
6
8
10
12
0
20
40
60
80
100
ID/A
VGS/V
Tj/C =
175
25
BUK759-60
0
-50
0
50
100
150
200
1
2
3
4
5
Tj / C
VGS(TO) / V
max.
typ.
min.
February 1999
4
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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