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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFZ44VS |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 60V的，的Rds（on）\u003d 16.5mohm，身份證\u003d 55A條） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | IRFZ44VS |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ44N
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 45 A; V
≤
25 V;
V
GS
= 10 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
110
UNIT
mJ
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
10 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1
10
100
1
10
100
1000
ID/A
VDS/V
RDS(ON) =VDS/ID
DC
tp =
1 us
10us
100 us
1 ms
10ms
100ms
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-06
0.0001
0.01
t/s
1
100
0.001
0.01
0.1
1
10
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
Zth/(K/W)
February 1999
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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