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參數資料
型號: IRFZ44VZL
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 60V的,的Rds(on)\u003d 12mohm,身份證\u003d 57A條)
文件頁數: 6/8頁
文件大小: 64K
代理商: IRFZ44VZL
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ44N
Fig.17. Switching test circuit.
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
February 1999
6
Rev 1.000
相關PDF資料
PDF描述
IRFZ44 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A)
IRFZ46S
IRFZ48L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-262
IRFZ48RL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-262
IRFZ48RS 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFZ44VZLPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12mヘ , ID = 57A )
IRFZ44VZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 57A 12mOhm 43nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ44VZS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44VZSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 57A 3PIN D2PAK - Bulk
IRFZ44VZSPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 57A 12mOhm 43nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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