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參數資料

IRFZ46S/L

相關PDF資料	PDF描述
IRFZ48STRL	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| TO-263AB
IRFZ48STRR	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| TO-263AB
IRFZ44A	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| TO-220AB
IRFZ44ND	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 49A I(D) \| CHIP
IRFZ44NSTRL	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 49A I(D) \| TO-263AB

相關代理商/技術參數	參數描述
IRFZ48S_11	制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFZ48SPBF	制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V - Tape and Reel
IRFZ48STRL	功能描述:MOSFET N-Chan 60V 50 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ48STRR	功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK RoHS:否類別:分離式半導體產品 >> FET - 單系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ48V	制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220

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