型號: | IRG4BAC50W |
文件頁數: | 8/8頁 |
文件大小: | 135K |
代理商: | IRG4BAC50W |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRG4BC10SD | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB |
IRG4BC10SD-STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB |
IRG4BC10SD-STRR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB |
IRG4BC20MD-STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB |
IRG4BC20MD-STRR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IRG4BAC50W-S | 功能描述:DIODE IGBT 600V SUPER 220 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
IRG4BAC50W-SPBF | 功能描述:IGBT N-CHAN 600V 55A SUPER220 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
IRG4BC10K | 功能描述:IGBT UFAST 600V 9.0A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
IRG4BC10KD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220 |
IRG4BC10KDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |