- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360951 > IRG4BC10SD-STRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRG4BC10SD-STRR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展|第14A一（c）|至263AB |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | IRG4BC10SD-STRR |
IRG4BAC50S
6
www.irf.com
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
Fig. 12
- Turn-Off SOA
0
20
40
60
80
100
0
10
20
30
40
I , Collector-to-emitter Current (A)
T
R = Ohm
T = 150 C
V = 480V
V = 15V
°
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V = 20V
T = 125 C
o
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
SAFE OPERATING AREA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC20MD-STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC20MD-STRR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC20UD-STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 6.5A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC20UD-STRR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 6.5A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC20W-STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRG4BC10SPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4BC10UD | 制造商:International Rectifier 功能描述:SEMICONDUCTOR ((NS)) |
| IRG4BC10UDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4BC10UDPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT |
| IRG4BC10UPBF | 功能描述:IGBT 模塊 600V 8.500A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。