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參數資料
| 型號： | IRG4BC15UD-SPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIOD |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復DIOD |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 326K |
| 代理商： | IRG4BC15UD-SPBF |
IRG4BC15UD-SPbF
IRG4BC15UD-LPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
UltraFast: Optimized for high frequencies from10 to
30 kHz in hard switching
IGBT Co-packaged with ultra-soft-recovery
antiparallel diode
Industry standard D
2
Pak & TO-262 packages
Lead-Free
E
G
n-channel
C
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
= 2.02V
@V
GE
= 15V, I
C
= 7.8A
Thermal Resistance
UltraFast CoPack IGBT
Benefits
Best Value for Appliance and Industrial Applications
High noise immune "Positive Only" gate drive-
Negative bias gate drive not necessary
For Low EMI designs- requires little or no snubbing
Single Package switch for bridge circuit applications
Compatible with high voltage Gate Driver IC's
Allows simpler gate drive
www.irf.com
1
D
2
Pak
IRG4BC15UD-S
TO-262
IRG4BC15UD-L
Parameter
Collector-to-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Diode Continuous Forward Current
Diode Maximum Forward Current
Gate-to-Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 sec.
Max.
600
14
7.8
42
42
4.0
16
± 20
49
19
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
A
V
-55 to +150
°C
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)
Parameter
Junction-to-Case - IGBT
Junction-to-Case - Diode
Case-to-Sink, flat, greased surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)
Weight
Min.
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ.
–––
–––
0.50
–––
–––
Max.
2.7
7.0
–––
80
40
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Wt
°C/W
2 (0.07)
g (oz)
08/27/04
PD - 95781
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC15UDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4BC20FDPBF | INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE |
| IRG4BC20FD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) |
| IRG4BC20FD-S | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) |
| IRG4BC20FD-STRL | CAP 0.01UF 25V 10% X7R SMD-0508 TR-7 PLATED-NI/SN |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRG4BC15UD-STRL | 功能描述:DIODE IGBT 600V 5.5A COPAK D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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| IRG4BC20F | 功能描述:IGBT FAST 600V 16A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4BC20FD | 功能描述:IGBT FAST 600V 16A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4BC20FDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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