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參數資料
| 型號： | IRG4BC20 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 絕緣門雙極晶體管（IGBTs）（快速絕緣柵型雙極型晶體管） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | IRG4BC20 |
Parameter
Max.
600
16
9.0
64
64
± 20
5.0
60
24
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.
A
V
mJ
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )
10 lbfin (1.1Nm)
°C
E
C
G
n-channel
Features
Fast: Optimized for medium operating
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20
kHz in resonant mode).
Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
Generation 3
Industry standard TO-220AB package
Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
IGBTs optimized for specified application conditions
Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
industry-standard Generation 3 IR IGBTs
Benefits
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
=
1.66V
@V
GE
= 15V, I
C
= 9.0A
Parameter
Typ.
–––
0.5
–––
2.0 (0.07)
Max.
2.1
–––
80
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
www.irf.com
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
°
C/W
g (oz)
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
W
TO-220AB
4/17/2000
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRG4BC20KDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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