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參數資料
| 型號： | IRG4BC20UD-STRR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 6.5A I(C) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 6.5AI（丙）|至263AB |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | IRG4BC20UD-STRR |
IRG4BAC50S
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
1
10
100
1000
5
6
7
8
9
10
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
0
20
40
60
80
100
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
A
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125°C
T sink
Power D issipation = 4 0W
J
Triangular wave:
I
C lamp voltage:
80% of rated
L
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC20W-STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC20W-STRR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB |
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| IRG4BAC50S | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(標準速度絕緣柵型雙極型晶體管) |
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參數描述 |
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