- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360952 > IRG4BC20W-STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRG4BC20W-STRL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展|第13A一（c）|至263AB |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 135K |
| 代理商： | IRG4BC20W-STRL |
IRG4BAC50S
www.irf.com
5
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
0
4
8
12
16
20
V
G
V
I
= 400V
= 41A
CC
C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
1
10
100
T , Junction Temperature ( C )
T
R = Ohm
V = 15V
V = 480V
I = A
82
I = A
41
I = A
20.5
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
0
10
R , Gate Resistance (Ohm)
20
30
40
50
8.5
9.0
9.5
10.0
T
V = 480V
V = 15V
T = 25 C
I = 41A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC20W-STRR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC30S-STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC30S-STRR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BAC50S | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(標準速度絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRG4C30W-S | |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRG4BC20W-STRR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC30 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A) |
| IRG4BC30F | 功能描述:IGBT FAST 600V 31A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4BC30FD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220 |
| IRG4BC30FD1 | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。