- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄377515 > IRG4BC30FD1 (International Rectifier) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRG4BC30FD1 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極型晶體管，二極管HYPERFAST |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 372K |
| 代理商： | IRG4BC30FD1 |
IRG4BC30FD1
Fast CoPack IGBT
PD - 94773
www.irf.com
1
TO-220AB
=
E
G
n-channel
C
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH
HYPERFAST DIODE
Features
!"#
$%&$'()
*+
$,#
&$'( +-./ 00
)+ #
&+(1 !2'#
$%&$'(3 +)0*0#
&$'(30#
-./&$'(3#
4)+ 05
**#
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
600
31
17
120
120
8
16
±20
100
42
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C Maximum Power Dissipation
T
J
Operating Junction and
T
STG
Storage Temperature Range
Storage Temperature Range, for 10 sec.
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw
Thermal / Mechanical Characteristics
Collector-to-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulse Collector Current (Ref.Fig.C.T.5)
Clamped Inductive Load current
Diode Continuous Forward Current
Diode Maximum Forward Current
Gate-to-Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
A
V
W
-55 to +150
°C
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)
10 lbf·in (1.1 N·m)
Parameter
Min.
–––
–––
–––
–––
–––
Typ.
–––
–––
0.50
–––
2.0 (0.07)
Max.
1.2
2.0
–––
80
–––
Units
°C/W
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
Junction-to-Case- IGBT
Junction-to-Case- Diode
Case-to-Sink, flat, greased surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
g (oz.)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC30FDPBF | LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 2280; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 211; Grade: -3; Package: Lead-Free ftBGA; Pins: 256; Temp.: AUTO |
| IRG4BC30FPBF | Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRG4BC30K-S | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) |
| IRG4BC30KD-STRR | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) |
| IRG4BC30 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRG4BC30FD1PBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-5kHz >20kHz resonant mode RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4BC30FDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4BC30FD-S | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 31A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4BC30FD-SPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4BC30FD-STRL | 制造商:International Rectifier 功能描述:600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT IN A D2-PAK PACKAGE - Tape and Reel |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。