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參數資料
| 型號： | IRG4BC30W-SPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極晶體管 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 593K |
| 代理商： | IRG4BC30W-SPBF |
www.irf.com
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC40FPBF | Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT |
| IRG4BC40F | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A) |
| IRG4BC40SPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT |
| IRG4BC40UPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT |
| IRG4BC40U | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRG4BC30W-STRL | 功能描述:IGBT WARP 600V 23A LEFT D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4BC30W-STRLP | 功能描述:IGBT 模塊 600V 23AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IRG4BC30W-STRRP | 功能描述:IGBT 模塊 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IRG4BC40F | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220 |
| IRG4BC40FD | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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