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參數資料
型號: IRG4C30W-S
文件頁數: 3/8頁
文件大小: 188K
代理商: IRG4C30W-S
IRG4BC30W-S
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(For square wave, I=I
RMS
of fundamental; for triangular wave, I=I
PK
)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
0.1
1
10
100
5.0
6.0
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0.1
1
10
100
1000
f, Frequency (kHz)
L
A
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125°C
T = 90°C
Gate drive as specified
Power Dissipation = 1.75W
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
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PDF描述
IRG4CC10KB
IRG4CC10SB
IRG4CC10UB
IRG4CC20FB TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | CHIP
IRG4CC20KB
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參數描述
IRG4CC10KB 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IRG4CC10KB IGBT Die in Wafer Form
IRG4CC10SB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
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