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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRG4CC20MB |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | CHIP |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展|芯片 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | IRG4CC20MB |
IRG4BC30W-S
www.irf.com
5
0
10
R , Gate Resistance (Ohm)
20
30
40
50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
T
V = 480V
V = 15V
T = 25 C
I = 12A
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
0.01
0.1
1
10
T , Junction Temperature ( C )
T
R = Ohm
V = 15V
V = 480V
I = A
24
I = A
12
I = A
6
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
1
10
100
0
500
1000
1500
2000
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
23
0
10
20
30
40
50
60
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
V
I
= 400V
= 12A
CC
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4CC20RB | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | CHIP |
| IRG4CC20UB | |
| IRG4CC30FB | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | CHIP |
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| IRG4CC30SB | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | CHIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4CC20RB | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | CHIP |
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