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參數資料
| 型號： | IRG4PC40UDPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管 |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 3093K |
| 代理商： | IRG4PC40UDPBF |
www.irf.com
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4PC50FD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A) |
| IRG4PC50KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A) |
| IRG4PC50UD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A) |
| IRG4PC50F | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A) |
| IRG4PC50K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRG4PC40UPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4PC40W | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PC40WPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4PC50F | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PC50FD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
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