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參數資料
| 型號： | IRG4PC50KPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Short Circuit Rated UltraFast IGBT |
| 中文描述： | 短路額定IGBT的超快速 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 251K |
| 代理商： | IRG4PC50KPBF |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4PC50SPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRG4PC50UPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT |
| IRG4PC50WPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRG4PC60UPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT |
| IRG4PE40FD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRG4PC50KPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 600V, 52A |
| IRG4PC50S | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
| IRG4PC50SDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4PC50S-P | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT, DC Collector Current:70A, Collector Emitter Voltage Vces:600V, Power Dissi |
| IRG4PC50SPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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